规格参数数据手册MMF60R580PTH 全球供应商全球供应商(3家) 刷新货币单位:需求数量:-+ 含%增值税供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买AiPCBA China100立型号:MMD60R580PB 类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):70 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】8 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.58 Ω 封装:T
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应该不行,60R580P参数:600V,8A,可以用8N60代换。配置类型MOSFET场效应管工作温度范围-55~150℃ 安装类型直插可售卖地全国型号MMD60R580PRH 价格说明价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情
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全新原装60R580P贴片高压MOS效应三极管TO-252封装场效应管【全新原装】60R580P 贴片高压MOS场效应管三极管TO-252封装奇美科技进入店铺收藏分享商品详情商品详情查看完整图片详情类似零件编号- MMD60R580P 制造商部件名数据表功能描述MagnaChip SemiconductorMMD60R580PB 1Mb/10P600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET MMD60R580PBRH 1Mb/10P600V 0.58(o