hspice仿真mos管iV特性曲线,hspice电路仿真

用hspice仿真mos管的I-V特性出现此错误syntax error when fetching "VIN1" "VDS" "0" "DC" "=" "5V"这一句我是想写个电压源出来的，可是报错了，不知道原因在哪图解法求解直流工作点先画出MOS管的输出特性IV特曲线同时在同一图上画出其直流负载线则直流负载线与MOS管的IV特性曲线相交的交点即为其直流工作点对于电阻负载放大器根据直流工作方

hspice仿真mos管iv特性曲线实验报告

MOS晶体管I-V特性曲线仿真目标：使用cadence绘制晶体管的I-V特性曲线(dc仿真)流程：新建原理图，将MOS管的栅极电压设为变量Vg,漏极电压设为变量Vd打开ADEL,点击Variables——Copy From得到一条曲线；变换Vgs，扫描Vds，得到下一条曲线；用waveviewe将几次仿真的曲线显示在一个图里。

用hspice程序仿真出mos管的输出特性曲线

一、MOS管的特性曲线从转移特性曲线可以看出：当Vgs上升到Vth时，MOS管开始导通电流。从输出特性曲线可以看出：Vgs的大小决定了恒流区即MOS管导通电流的通道宽的大小，也决定了6.在Parametric Analysis 窗口中，点Analysis→Start开始扫描仿真结果如下，即为MOS管I-V输出特性曲线7.返回原先界面，将VDS初值改为1.8V,步长可适当调整，DC扫描参量改为Vgs,点击sim