╯＾╰ 一、指令时序之命令时序app_cmd和app_addr有效，且app_en拉高，app_rdy拉高，则该指令成功发送给DDR3控制器，若是在app_cmd、app_addr、app_en都有效时，app_rdy为低，那么必须保持app_cddr31333内存中的2个频率和时序哪个更好？谢谢你。看看你想说明什么，1600比1333快，但是耗电更多，发热更高，当然最重要的还是速度，所以能用1600就用1600。1、DDR3的突发长度(BL Burst
ddr3内存时序调到最优方法如下：1、手动设置时序：进入BIOS设置，找到DRAMTimingControl选项，手动设置内存时序。建议先查看内存型号的详细参数，以确保手动设置的以MT41K256M16RH-125为例，DDR3关键时序参数如图1所示。1.1 DDR3芯片I/O接口时钟DDR3器件尾缀-
现在DDR3 1600的一般时序是11-11-11-28，而一般性能比较高，DDR3 1600时序会在9-9-9-24左右。3，DDR、DDR2和DDR3内存是根据其工作的最高速度和时序来分类的，时序是3-4-4-8、5-5-5-15、7-7-7-21或9-9-9-24等数字，越低越好。下面解释这些数字的含义。DDR、DDR2和DDR3内存遵循DDRx
DDR接口时序比较复杂，想要完全搞懂需要下一番功夫。如果使用DDR3控制器IP控制DDR3,只需要熟悉DDR3读写时序就可以轻松控制DDR读写，下面分别对DDR接口信号和DDR1、传输速率比如1066MT/S、1600MT/S、1866MT/S 等，这个是首要考虑的，因为这个决定了DDR3 内存的最高传输速率。2、tRCD 参数tRCD 全称是RAS-to-CAS Delay,也就是行寻址到列寻
