不过，鉴于现在的笔记本内存条需要更换或者加装的基本都是几年前的老本子了，升级到8+8基本不会有32003 CL:全称是CAS lantency,翻译是列地址选通潜伏期，因为在列地址发出后出发数据传输，但是数据从存储单元到内存芯片IO还需要一段时间4 RL:Read lantency,读潜伏期，RL=AL+CL。MMDC:m
需要了解内存条时序的朋友注意了，我们现在就来讲讲内存条时序到底对内存条的性能有何影响。1.CL:列寻址所需的时钟周期(表示延迟的长短) 确实是同频率下，CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内2.光威(Gloway)16GB(8Gx2)套装DDR4 3200 台式机内存天策系列-皓月白自带白马甲，开启XMP后3200HZ,终身质保，时序C16,普条颗粒，基本上不能超频。3.英睿达(Crucial)美光16GB
●＾● DDR写时序数据写入DDR时，将wr_burst_req置1,首地址写入wr_burst_addr,设置突发长度wr_burst_len 10为100,进入写状态，wr_burst_data_req为1时，将要写入数据赋现在DDR3 1600的一般时序是11-11-11-28,而一般性能比较高，DDR3 1600时序会在9-9-9-24左右。3,时序和内存的容量大小无关，和内存的频率有关。4,现在的内存频率都比较高，目前
≥▽≤ DDR3内存时序进一步提高Z博士：一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18,但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-15、DDR3-1066为7-7-7-20、而DDR3-1333接下来，需要了解的是Tds/Tdh,分别对应写周期下的建立和保持时间，在DDR4之前的DDR/DDR2/DDR3时期，这两个时序参数的要求直接决定了数据写周期的稳定性。需要明确
