），所以声子的平均自由程是有限制的。声子的散射率随温度升高而增加，温度越高，密度的变化越大，声子基于TDTR法测量单晶硅的声子平均自由程基于时域抽运探测热反射法(TDTR),通过改变抽运光光斑直径和调制频率的方式控制被测样品单元体，探究不同温度下被测样品单元体内能量传
有关。温度升高，声子的振动能量加大，频率加快，碰撞增多，所以l减小。在高温下，碰撞加剧，最小的平均自由程等于在此基础上，我们知道，声子的平均自由程，指的不是声子在相邻两次碰撞中运动的平均距离，而是表征了声子碰撞的频率大小。在上述公式中，按照Debye模型，v是常数为声速(待推导),那么\kap
●﹏● 导出了分形介质中声子平均自由程与周种材抖均匀介质中声子平均自由程的关系，结果表明，同一材料的分彤介质中声子的平均自由程恒小于均匀介质中声子的平均自由程本文通过理论分析，导出了散体中声子平均自由程与同种材料均匀介质中声子平均自由程的关系，结果表明，同一材料的散体中声子的平均自由程恒小于均匀介质中声子的平均自由程. 展
室温附近GaN晶体的Debye温度近似为556K,声子平均自由程为33~50nm,随温度升高而变短，主要原因是在测试温度范围内声子的U-过程散射起主导作用。关键词：2ωGaN广泛声子模式和数量均与温度有关，声子平均自由程是由U过程平均自由程决定的，与N过程无关个人理解：单声子碰撞和N过程结合，就能够实现对净声子动量的改变，这也应该
