铝基碳化硅的密度与铝相当，比铜轻得多，特别适合在便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域中应用；铝基碳化硅的抗震性比陶瓷好，因此是恶劣环境下首选的材料；铝基碳化硅具有高韧性、高塑性，还兼具碳化硅颗粒的高硬度、高模量等优点，并且热导率高，还有可调的热膨胀系数，是新一代电子封装材料，在电子领域发挥着极大的作
铝碳化硅(AlSiC)是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称，它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势，具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度，是新一代电子相比砷化镓和硅基LDMOS 射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功
IGBT模块中的底板发挥着形成导热通道、保证导热性能、增强模块机械性能的作用。底板材料一般用铜或者铝基碳化硅(AlSiC)。今天我们就来了解一下AlSiC作为IGBT的底板还有哪些优点。1铝基体 优点：含量最高，不仅重量轻，质地坚，而且具有良好的延展性、导电性、导热性、耐热性和耐核辐射性。缺点：低强度、低刚度、不耐高温、抗腐蚀性抗疲劳性低。设计思路碳化硅增强体（
一，铝碳化硅基板的优点1，AlSiC具有高导热率（170～200W/mK），是一般封装材料的十倍，可将芯片产生的热量及时散发，提高整个元器件的可靠性和稳定性2，AlSiC的热膨胀系数与半一、AlSiC铝基碳化硅的性能特点1、AlSiC铝基碳化硅具有高导热率(180～240W/mK)和可调的热膨胀系数(6.5～9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良
碳化硅铝基复合材料第一页，课件共17页目录1、生产背景2、结构组织3、制造工艺4、运用压力铸造工艺粉末冶金法压力浸渗工艺喷射共沉淀法液态搅拌铸造法第二页，课件共17铝基碳化硅它其实就是一种陶瓷和金属混合在一起简称为铝基复合材料，它具有很好的磨合性，优异的导热性功能，制品轻，价格便宜以及性价比高等优点，因此铝基碳化硅具广阔的研究和发展空
